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NTTFS1D8N02P1E

Name: onsemi NTTFS1D8N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS1D8N02P1E
Price: 2.78 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTTFS1D8N02P1E

N. produttore:

NTTFS1D8N02P1E

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE

Scheda dati:

NTTFS1D8N02P1E Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PQFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	25 V
Id - corrente di drain continua:	150 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	17.1 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	46 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	NTTFS1D8N02P1E
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	122,136 mg

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Scheda dati

NTTFS1D8N02P1E Scheda dati

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N NTTFS1D8N02P1E

Il MOSFET di potenza a canale N NTTFS1D8N02P1E Onsemi vanta una progettazione compatta e buone prestazioni termiche. Questo MOSFET offre una bassa resistenza drain-to-source (R_DS(on)) per minimizzare le perdite di conduzione e una bassa carica totale del gate (Q_G) e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver. Il MOSFET NTTFS1D8N02P1E Onsemi fornisce una tensione drain-to-source di 25 V (V_(BR)DSS) e una corrente massima di 150 A sul drain (I_D). Applicazioni tipiche includono convertitori CC-CC, interruttori della potenza di carico, gestione della batteria notebook , controllo del motore, rettifica secondaria, gestione della batteriae Point of carico (POL).