MOSFET di potenza NexFET™ CSD17581Q3A

Il MOSFET di potenza NexFET™ CSD17581Q3A di Texas Instruments è un MOSFET di potenza da 3,2 mΩ e 30 V a canale N. Questo dispositivo è progettato per ridurre al minimo le perdite nelle applicazioni di conversione di potenza. Questo MOSFET offre bassi valori di Qg, Qgd e RDS(on) e una bassa resistenza termica. Tali caratteristiche rendono questo dispositivo ideale per convertitori buck sincroni a punto di carico per applicazioni in reti, sistemi informatici e telecomunicazioni. Questo dispositivo funziona bene anche per applicazioni di controllo motore ed è ottimizzato per le applicazioni FET di controllo.
Maggiori informazioni

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione

Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT
Scheda dati
306A magazzino
7.50012/03/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFET 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A 595-CSD17581Q3A
Scheda dati
358A magazzino
25020/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel