MAGX-100027 50V GaN on Si HEMT Amplifiers

MACOM MAGX-100027 50V GaN on Si (Gallium Nitride on Silicon) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) Amplifiers are high-power devices optimized for DC to 2.7GHz frequency operation. The MAGX-100027 Amplifiers support both CW (Continuous Wave) and pulsed operation with peak output power levels from 15W to 300W. Each MACOM MAGX-100027 50V GaN device integrates a pair of isolated, symmetric amplifiers and is internally pre-matched.

Risultati: 3
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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Frequenza di lavoro
Tensione di alimentazione di lavoro
Corrente di alimentazione operativa
Guadagno
Tipo
Stile di montaggio
Package/involucro
Tecnologia
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
MACOM Amplificatori RF Transistor,GaN,100W,CW
Scheda dati
287A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 200 mA 18.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Bulk
MACOM Amplificatori RF Amplifier,GaN,50W,CW
Scheda dati
84A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 100 mA 16.8 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 120 C MAGX-100027 Bulk
MACOM Amplificatori RF Amplifier, GaN DC to 2700MHz, 250pc T&R
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 28 settimane
Min: 250
Mult.: 250
Nastrati: 250

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 16.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-252S-4 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Reel