MOSFET di potenza a canale N singolo

I MOSFET di potenza N-Channel singoli di Onsemi sono progettati per progetti compatti ed efficienti con un ingombro ridotto. Questi MOSFET di potenza hanno bassa RDS(ON), bassa QG e capacità elettrica riducendo al minimo le perdite di conduzione e driver. Questi MOSFET sono disponibili con tensioni di drain-source di 40 V, 60 V e 80 V e una tensione di gate-sorgente di ±20 V. I MOSFET di potenza a canale N singolo Onsemi sono privi di piombo e conformi a RoHS.

Risultati: 34
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Scheda dati
203A magazzino
1.50016/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 150
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.7 mOhms 20 V 3.5 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
Scheda dati
11A magazzino
31.500In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 650
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Scheda dati
49A magazzino
1.50005/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 33 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Scheda dati
146A magazzino
3.00013/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Scheda dati
92A magazzino
13.500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 150
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 38.6 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Scheda dati
64A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET
Scheda dati
907A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Scheda dati
13.601In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T8 80V LL LFPAK
Scheda dati
3.00003/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 59 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape