Transistor bipolari HN1x

I transistor bipolari HN1x di Toshiba sono qualificati AEC-Q101 e ottimizzati per applicazioni di amplificatori a bassa frequenza. I transistor bipolari HN1x presentano alta tensione, alta corrente collettore e un'eccellente linearità hFE. I dispositivi sono offerti in un piccolo package SOT-363 (US6).

Risultati: 13
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione base-collettore VCBO Tensione emettitore-base VEBO Tensione di saturazione collettore-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Prodotto guadagno-larghezza di banda fT Temperatura di lavoro massima Qualifica Confezione
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7.772A magazzino
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Si SMD/SMT ES-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5.762A magazzino
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Si SMD/SMT US-6 NPN Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 80 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7.700A magazzino
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Si SMD/SMT ES-6 PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5.644A magazzino
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Si SMD/SMT US-6 NPN Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 80 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 6.250A magazzino
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Si SMD/SMT ES-6 PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5.658A magazzino
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Si SMD/SMT US-6 PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 200 mW 80 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 2.420A magazzino
6.00018/05/2026 previsto
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Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5.962A magazzino
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Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1.254A magazzino
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Si SMD/SMT ES-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 4.629A magazzino
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Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V, 60 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 6.000A magazzino
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Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V, 60 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7.757A magazzino
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Si SMD/SMT ES-6 NPN Single 50 V 60 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 8.000A magazzino
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Si SMD/SMT ES-6 NPN Single 50 V 60 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel