Diodi di potenza Schottky in carburo di silicio

I diodi di potenza Schottky in carburo di silicio (SiC) di Vishay Semiconductors sono raddrizzatori avanzati e ad alte prestazioni progettati per offrire efficienza, robustezza e affidabilità eccezionali nelle applicazioni di elettronica di potenza più esigenti. Costruiti sulla tecnologia SiC a banda larga, questi diodi Vishay offrono una carica di recupero praticamente nulla, una capacità di commutazione estremamente veloce e prestazioni invariate dalla temperatura, rendendo i dispositivi ideali per i sistemi di conversione di potenza ad alta frequenza di nuova generazione.

Risultati: 45
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Configurazione
If - Corrente diretta
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva
Vf - Tensione diretta
Ifsm - Sovracorrente diretta
Ir - Corrente inversa
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
95011/01/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
1.00005/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2473L
Scheda dati
47508/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2473L
Scheda dati
49005/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2472L
Scheda dati
47523/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2472L
Scheda dati
50023/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
79423/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
80023/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
1.00023/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
1.00023/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
73525/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
80023/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
95023/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
1.00023/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2472L
Scheda dati
50008/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
800In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
1.00012/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2472L
Scheda dati
50013/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2472L
Scheda dati
50008/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
78012/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape