Diodi di potenza Schottky in carburo di silicio

I diodi di potenza Schottky in carburo di silicio (SiC) di Vishay Semiconductors sono raddrizzatori avanzati e ad alte prestazioni progettati per offrire efficienza, robustezza e affidabilità eccezionali nelle applicazioni di elettronica di potenza più esigenti. Costruiti sulla tecnologia SiC a banda larga, questi diodi Vishay offrono una carica di recupero praticamente nulla, una capacità di commutazione estremamente veloce e prestazioni invariate dalla temperatura, rendendo i dispositivi ideali per i sistemi di conversione di potenza ad alta frequenza di nuova generazione.