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STD80N450K6

Name: STMicroelectronics STD80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N450K6
Price: 3.59 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STD80N450K6

N. produttore:

STD80N450K6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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Scheda dati:

STD80N450K6 Scheda dati (PDF)

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-,-- €

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	3,59 €	3,59 €
	2,36 €	23,60 €
	1,76 €	176,00 €
	1,57 €	785,00 €
	1,34 €	1.340,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	1,26 €	3.150,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	10 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	450 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	17.3 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	83 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	12.7 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	28.8 ns
Tipico ritardo di accensione:	10.6 ns
Peso unità:	330 mg

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Scheda dati

STD80N450K6 Scheda dati (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

I MOSFET di potenza MDmesh K6 a canale N di STMicroelectronics sono protetti da Zener e sottoposti a test a valanga al 100%. Questi MOSFET di potenza presentano una tensione di rottura drain-source minima di 800 V, una tensione gate-source di ±30 V e un intervallo di temperatura di giunzione operativa compreso tra -55 °C e 150 °C. I MOSFET di potenza MDmesh K6 presentano inoltre una pendenza di tensione di recupero del diodo di picco di 5 V/ns, una pendenza di corrente di recupero del diodo di picco di 100 A/µs e una robustezza MOSFET dv/dt di 120 V/ns. Le applicazioni tipiche includono notebook e AIO, convertitori flyback, adattatori per tablet e illuminazione a LED.

MOSFET di potenza STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh K6

Il MOSFET di potenza STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh K6 di STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione che presenta protezione Zener e valanga al 100%. Questo MOSFET presenta inoltre una bassissima carica di gate, tensione gate-source ±30 V, dissipazione di potenza totale 83 W, R_DS(ON) x area mondiale e Figure Of Merit (FOM) a livello mondiale. Il MOSFET opera nell'intervallo di temperatura di giunzione da -55 °C a 150 °C ed è disponibile nel package di tipo A2 DPAK (TO-252). Le applicazioni tipiche includono convertitori flyback, illuminazione a LED e adattatori per tablet e notebook.