Driver di porta NCD57081

I driver di porta NCD57081  di onsemi sono driver di porta IGBT a corrente elevata con isolamento galvanico interno di 3,75 kVrms per prestazioni affidabili in applicazioni ad alta potenza. L'NCD57081  di onsemi accetta ingressi complementari e ogni variante offre caratteristiche specifiche. L'NCD57081A presenta un morsetto Miller attivo, l'NCD57080B ha un’alimentazione negativa e l'NCD57081C ha uscite driver separate a monte e a valle (OUH e OUTL) per una maggiore comodità nella progettazione del sistema. Tutte le varianti supportano una vasta gamma di tensioni di polarizzazione di ingresso e livelli di segnale (da 3,3 V a 20 V) e sono disponibili in un package SOIC-8 a corpo stretto.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Serie Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Tensione di isolamento Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Tempo di salita Tempo di caduta Confezione
onsemi Gate driver isolati galvanicamente Isolated High Current Gate Driver 2.296A magazzino
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NCD57081 SMD/SMT SOIC-8 1 Channel 3750 Vrms - 40 C + 125 C 1.315 W 13 ns 13 ns Reel, Cut Tape
onsemi Gate driver isolati galvanicamente Isolated High Current Gate Driver 2.400A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

NCD57081 SMD/SMT SOIC-8 1 Channel 3750 Vrms - 40 C + 125 C 1.315 W 13 ns 13 ns Reel, Cut Tape
onsemi Gate driver isolati galvanicamente Isolated High Current Gate Driver 2.445A magazzino
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Mult.: 1
Nastrati: 2.500

NCD57081 SMD/SMT SOIC-8 1 Channel 3750 Vrms - 40 C + 125 C 1.315 W 13 ns 13 ns Reel, Cut Tape