MOSFET serie SIH

I MOSFET serie SIH di Vishay/Siliconix offrono una tecnologia serie E di 4a generazione in un package standard-TO-package. I dispositivi forniscono una riduzione del 30% nelle perdite di conduzione, maggiore densità di potenza e maggiori efficienze. I MOSFET serie SIH Vishay/Siliconix sono progettati per alimentatori, tra cui modalità di commutazione (SMPS), correzione del fattore di potenza (PFC) e server/telecomunicazioni.

Risultati: 21
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione

Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-223 80.872A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 100 V 1.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement

Vishay / Siliconix MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-223 35.736A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.8 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 4.704A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 8.135A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) 2.590A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 4.799A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 2.368A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V 1.767A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V 1.646A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V 2.004A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V 1.901A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 1.528A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 6.8 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 1.881A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET -100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 524A magazzino
9.00023/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
Mult.: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 19 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 200 V 6.5 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) Non disponibile a magazzino
Min: 2.000
Mult.: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) Non disponibile a magazzino
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) Non disponibile a magazzino
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 5.1 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement