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RM2312-T

Name: Rectron RM2312-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM2312-T
Price: 0.49 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

583-RM2312-T

N. produttore:

RM2312-T

Produttore:

Rectron

Descrizione:

MOSFET

Scheda dati:

RM2312-T Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,497 €	0,50 €
	0,367 €	3,67 €
	0,208 €	20,80 €
	0,14 €	70,00 €
	0,107 €	107,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,094 €	282,00 €
	0,081 €	486,00 €
	0,075 €	675,00 €
	0,067 €	1.608,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Rectron
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT23-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	4.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	33 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	500 mV
Qg - Carica del gate:	10 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.25 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Rectron
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	28 ns
Transconduttanza diretta - Min:	10 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	18 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	60 ns
Tipico ritardo di accensione:	20 ns

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Scheda dati

RM2312-T Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON). The MOSFET features a low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. The device is suitable for use as battery protection or in other switching applications.