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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor
Tecnologia
Id - corrente di drain continua
Vds - Tensione di rottura drain-source
Frequenza di lavoro
Guadagno
Potenza di uscita
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
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: 1.000

N-Channel Si 64 mA 105 V 728 MHz to 960 MHz 19.1 dB 2 W - 40 C + 150 C SMD/SMT PQFN-24 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
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: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
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: 50

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.215 GHz 20.3 dB 275 W + 150 C Screw Mount NI-780 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V
Scheda dati
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N-Channel Si 110 V 1.215 MHz to 960 MHz 19.7 dB 500 W + 150 C Screw Mount NI-780H-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
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N-Channel Si 2 A 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
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: 150

N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V
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: 50

N-Channel Si 110 V 20 dB 1 kW + 150 C Screw Mount NI-1230-4 Reel, Cut Tape