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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Package/involucro
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Infineon Technologies Moduli IGBT 650 V, 30 A 3-level IGBT module
Scheda dati
14A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.5 V 30 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies Moduli IGBT 950 V, 400 A 3-level IGBT module
Scheda dati
1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies Moduli IGBT 950 V, 200 A 3-level IGBT module
Scheda dati
9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray