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CUHS10F60,H3F

Name: Toshiba CUHS10F60,H3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-CUHS10F60H3F
Price: 0.21 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

757-CUHS10F60H3F

N. produttore:

CUHS10F60,H3F

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

Diodi e raddrizzatori Schottky Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF

Scheda dati:

CUHS10F60,H3F Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,215 €	0,22 €
	0,181 €	1,81 €
	0,121 €	12,10 €
	0,09 €	45,00 €
	0,079 €	79,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,054 €	162,00 €
	0,052 €	312,00 €
	0,048 €	432,00 €
	0,047 €	1.128,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	Diodi e raddrizzatori Schottky
RoHS::
Configurazione:	Single
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Toshiba
Tipo di prodotto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Peso unità:	5,400 mg

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Scheda dati

CUHS10F60,H3F Scheda dati (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

CUHS10F60 Schottky Barrier Diode

Toshiba CUHS10F60 Schottky Barrier Diode (SBD) is designed for high-speed switching applications with high breakdown voltage and low reverse current. This SBD provides a maximum reverse voltage of 60V and an average rectified current of 1A. The CUHS10F60 diode features a storage temperature range from -55°C to +150°C and a maximum junction temperature of +150°C. The Toshiba CUHS10F60 SBD also features a reverse leakage current of 0.04mA when the reverse voltage is 60V.

CUHSx Schottky Barrier Diodes

Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes (SBDs) are suitable for rectifying power supply circuits and protecting reverse currents. These diodes are high-speed switching devices that incorporate Si technology and use a US2H package to achieve low-thermal resistance. These SBDs offer a reverse leakage greater than other types of diodes making them more susceptible to thermal runaway under high-temperature and high-voltage conditions. To improve the efficiency of power supply use, these SBDs are required to have low forward voltage and low reverse current. The DC-DC boost converter ICs are used in voltage-boosting circuits for driving LCD backlight LEDs in portable devices like smartphones, tablets, and notebook PCs. In addition to the DC-DC converter circuits, Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes are also used in applications such as motor driver circuits, MOSFET gate driver circuits, and freewheeling diodes.

Small Signal Schottky Barrier Diodes

Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes come in a variety of packages, voltages, and current ratings to meet a variety of design requirements. Voltages range from 10V to 60V with current ratings from 0.05A to 2A. Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes feature high-speed switching and a low leakage current.