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TK110Z65Z,S1F

Name: Toshiba TK110Z65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110Z65ZS1F
Price: 5.81 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

757-TK110Z65ZS1F

N. produttore:

TK110Z65Z,S1F

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ

Scheda dati:

TK110Z65Z,S1F Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,81 €	5,81 €
	3,42 €	34,20 €
	2,85 €	285,00 €
	2,55 €	1.275,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	24 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	110 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	40 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	190 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	18 ns
Quantità colli di fabbrica:	25
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	90 ns
Tipico ritardo di accensione:	45 ns
Peso unità:	6 g

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Attributi selezionati: 0

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Scheda dati

TK110Z65Z,S1F Scheda dati (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET serie DTMOSIV a canale N in silicio TK110Z65Z

Il MOSFET della serie DTMOSIV a canale N in silicio TK110Z65Z di Toshiba presenta una bassa resistenza in conduzione drain-source di 0,092Ω (tipica), proprietà di commutazione ad alta velocità e bassa capacità. Il TK110Z65Z presenta anche una modalità di arricchimento che lo rende ideale per l'uso in applicazioni di alimentazione a commutazione.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.