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GP2T020A120H

Name: SemiQ GP2T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T020A120H
Price: 17.22 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

148-GP2T020A120H

N. produttore:

GP2T020A120H

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

MOSFET SiC 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET

Scheda dati:

GP2T020A120H Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	17,22 €	17,22 €
	14,16 €	141,60 €
	12,25 €	1.470,00 €
1.020	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	119 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	18 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	216 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	564 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	SemiQ
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	19 ns
Transconduttanza diretta - Min:	26 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	5 ns
Serie:	GP2T020A120
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	38 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns

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Scheda dati

GP2T020A120H Scheda dati (PDF)

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET can be combined with silicon carbide Schottky diodes to achieve optimal performance without the trade-offs made with Silicon devices. This MOSFET offers reduced switching losses, higher efficiency, reduced heat sink size, and increased power density. The GP2T020A120H MOSFET features high-speed switching, longer creepage distance, 564W power dissipation, and 800mJ single pulse avalanche energy. This MOSFET is ideal for designers working on EV charging, industrial controls, and HVAC systems. Typical applications include power factor correction, DC-DC converter primary switching, and synchronous rectification.