BLF647P LDMOS Broadband Power Transistors

Ampleon BLF647P LDMOS Broadband Power Transistors are 200W LDMOS RF power transistors for broadcast transmitters and industrial applications. Suitable for the frequency range HF to 1500MHz, the excellent ruggedness and broadband performance of the BLF647P transistors make them ideal for digital applications. These transistors offer integrated ESD protection, excellent ruggedness, and high power gain/efficiency.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor Tecnologia Id - corrente di drain continua Vds - Tensione di rottura drain-source Rds On - Drain-source sulla resistenza Frequenza di lavoro Guadagno Potenza di uscita Temperatura di lavoro massima Stile di montaggio Package/involucro Confezione
Ampleon Transistor RF MOSFET BLF647PS/SOT1121/TRAY 46A magazzino
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Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon Transistor RF MOSFET BLF647P/SOT1121/TRAY
23619/06/2026 previsto
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Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 18 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT-1121A-5 Tray
Ampleon Transistor RF MOSFET Broadband pwr LDMOS transistor Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
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Dual N-Channel LDMOS 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Reel