Relè MOSFET SiC G3VH

I relè MOSFET SiC G3VH Omron sono relè MOSFET con tensione a carico elevata basati su tecnologia MOSFET in carburo di silicio (SiC) per consentire la commutazione a tensioni pari o superiori a 1.000 V. Questi relè supportano tensioni a carico fino a 1.800 V o 3.300 V mantenendo una bassa resistenza di conduzione per un funzionamento efficiente. I relè G3VH sono progettati in un package DIP compatto a 6 pin con configurazione di contatto normalmente aperto (1a/SPST-NO). I relè MOSFET SiC G3VH presentano una corrente diretta di ingresso di 50mA, un elevato isolamento fino a 5000Vrms tra ingresso e uscita e prestazioni di commutazione rapida. Le applicazioni tipiche includono apparecchiature di prova per semiconduttori e sistemi di gestione della batteria (BMS), dove è richiesta la commutazione ad alta tensione.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Confezione Stile di montaggio Tensione nominale di carico Tipo di contatti relè Package/involucro Tipo di uscita Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Lunghezza Larghezza Altezza Serie
Omron Electronics Relè a stato solido - Montaggio su scheda a circuito stampato 1800 V 30 mA SiC MOSFET
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PCB Mount 1800 V 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
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Omron Electronics Relè a stato solido - Montaggio su scheda a circuito stampato 3300 V 300 mA SiC MOSFET
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PCB Mount 2640 V 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
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Omron Electronics Relè a stato solido - Montaggio su scheda a circuito stampato 1800V 30 mA SiC MOSFET Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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Reel PCB Mount 2640 V 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH