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NTMFS003P03P8ZT1G

Name: onsemi NTMFS003P03P8ZT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-TMFS003P03P8ZT1G
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-TMFS003P03P8ZT1G

N. produttore:

NTMFS003P03P8ZT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PFET SO8FL -30V 3MO

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NTMFS003P03P8ZT1G Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,37 €	2,37 €
	1,53 €	15,30 €
	1,06 €	106,00 €
	0,846 €	423,00 €
	0,799 €	799,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	0,799 €	1.198,50 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SO-8FL
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	234 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	277 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	139 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Tempo di caduta:	380 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	116 ns
Serie:	NTMFS003P03P8Z
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	325 ns
Tipico ritardo di accensione:	28 ns

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Scheda dati

NTMFS003P03P8ZT1G Scheda dati

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale P NTMFS003P03P8Z

Il MOSFET NTMFS003P03P8Z a canale P di Onsemi è un singolo MOSFET da -30 V disponibile in 5 mm x 6 mm per un notevole risparmio di spazio e un'eccellente conduzione termica. Questo MOSFET a canale P presenta un R_DS(on) ultra-basso di 1,8 mΩ per migliorare l'efficienza del sistema e una corrente di drain di -234 A. Il MOSFET a canale P NTMFS003P03P8Z funziona in un intervallo temperatura di conservazione e di giunzione da -55 °C fino a 150 °C. Questo MOSFET è un dispositivo senza piombo, senza alogeni/senza BFR e conforme alla normativa RoHS. Il MOSFET NTMFS003P03P8Z è adatto per l'interruttore del carico di potenza, la protezione da corrente inversa, la protezione da sovratensione e da tensione negativa inversa e la gestione della batteria.