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UG3SC120009K4S

Name: onsemi UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UG3SC120009K4S
Price: 55.4 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

431-UG3SC120009K4S

N. produttore:

UG3SC120009K4S

Produttore:

onsemi

Descrizione:

JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4

Scheda dati:

UG3SC120009K4S Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	55,40 €	55,40 €
	43,49 €	434,90 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	JFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Configurazione:	Single
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 25 V to 25 V
Corrente drain-source a Vgs=0:	6 uA
Id - corrente di drain continua:	120 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7.6 mOhms
Pd - Dissipazione di potenza:	789 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	UG3S
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Tipo di prodotto:	JFETs
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors

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PCN

Product Change Notification 2025-4-11 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UG3SC Combo-FET 1.200 V 7,6 mΩ

UG3SC Combo-FET 1.200 V 7,6 mΩ di onsemi combina un JFET SiC da 1.200 V e un MOSFET Si a basso voltaggio in un unico package TO-247-4L. Questa progettazione consente di avere un interruttore normalmente disattivato, sfruttando al contempo i vantaggi di un JFET SiC normalmente attivato. UG3SC Combo-FET di onsemi offre una resistenza di conduzione ultra-bassa [RDS_(on)] per perdite di conduzione ridotte e la robustezza necessaria per l'alta energia commutazione in protezione del circuito applicazioni.

Combo-FET

I Combo-FET di onsemi sono dispositivi rivoluzionari che combinano un JFET SiC di onsemi con una bassa R_DS(on) con un MOSFET Si in un unico package compatto. Progettati espressamente per applicazioni di protezione a bassa frequenza, come interruttori di circuito a stato solido, disconnessioni della batteria e protezione da sovratensione, questi Combo-FET consentono agli utenti di accedere al gate del JFET per ottimizzare la progettazione. L'integrazione del MOSFET Si in questi Combo-FET di onsemi garantisce una soluzione normalmente disattivata, ottenendo una riduzione delle dimensioni superiore al 25% rispetto alle implementazioni discrete.