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EPC2304

Name: EPC EPC2304
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2304
Price: 7.78 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

65-EPC2304

N. produttore:

EPC2304

Produttore:

EPC

Descrizione:

GaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN

Ciclo di vita:

Nuovo a Mouser

Scheda dati:

EPC2304 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	7,78 €	7,78 €
	5,31 €	53,10 €
	3,91 €	391,00 €
	3,89 €	1.945,00 €
	3,40 €	3.400,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	3,30 €	9.900,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	EPC
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	FCQFN-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	200 V
Id - corrente di drain continua:	133 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	21 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	eGaN FET
Marchio:	EPC
Configurazione:	Single
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Prodotto:	Power Transistor
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	31,500 mg

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Scheda dati

EPC2304 Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Malesia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2304 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is designed to handle tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous, as well as those where on-state losses dominate. This eGaN^® FET offers exceptionally high electron mobility and low temperature coefficient, allowing low drain-source on resistance R_DS(on) of 3.5mΩ typical and 5mΩ maximum. The EPC2304's lateral device structure and majority carrier diode provide exceptionally low total gate charge (Q_G) and zero reverse recovery (Q_RR) losses. This 200V_DS power transistor from EPC comes in an ultra-small 3mm x 5mm QFN package for higher power density.