FET GaN LMG341xR150

Il FET GaN LMG341xR150 di Texas Instruments con driver e protezione integrati consente ai progettisti di raggiungere nuovi livelli di densità di potenza ed efficienza nei sistemi elettronici di potenza. Il FET GaN LMG341xR150 è dotato di capacità di ingresso e uscita ultrabassa, recupero inverso zero per ridurre le perdite di commutazione fino all'80% e basso ringing del nodo di commutazione per ridurre le EMI. Le caratteristiche consentono topologie dense ed efficienti come il PFC Totem-Pole.