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TGS2355

Name: Qorvo TGS2355
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGS2355
Price: 159.58 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

772-TGS2355

N. produttore:

TGS2355

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

Circuiti integrati commutatori RF .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

Scheda dati:

TGS2355 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

TGS2355-SM

Imballaggio:

Tray

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

231,83 €

Min:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	Circuiti integrati commutatori RF
RoHS::
Configurazione interruttore:	SPDT
Frequenza minima:	500 MHz
Frequenza massima:	6 GHz
Perdita di inserzione:	1.3 dB
Isolamento in stato inattivo - Tip:	40 dB
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	Die
Tecnologia:	Si
Serie:	TGS2355
Confezione:	Gel Pack
Marchio:	Qorvo
Tensione di controllo alta:	- 48 V
Numero di interruttori:	Single
Corrente di alimentazione operativa:	1 mA
Pd - Dissipazione di potenza:	36.8 W
Tipo di prodotto:	RF Switch ICs
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Wireless & RF Integrated Circuits
Alias n. parte:	1097157
Peso unità:	1 g

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5-0810-13

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TGS2355 Scheda dati (PDF)

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TARIC:: 8542399000
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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TGS2355 High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355 High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). Operating from 0.5GHz to 6.0GHz, the TGS2355 provides up to 100W input power handling with <1dB insertion over most of the operating band and greater than 40dB isolation.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.