CLP24H4S30PXY

Name: Ampleon CLP24H4S30PXY
Brand: Ampleon
SKU: 94-CLP24H4S30PXY
Price: 66.93 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

94-CLP24H4S30PXY

N. produttore:

CLP24H4S30PXY

Produttore:

Ampleon

Descrizione:

GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

CLP24H4S30PXY Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Ampleon
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	774 uA
Vgs - Tensione gate-source:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	- 2.2 V
Temperatura di lavoro massima:	+ 225 C
Marchio:	Ampleon
Guadagno:	18.4 dB
Sensibili all’umidità:	Yes
Potenza di uscita:	30 W
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	100
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN SiC
Tipo:	RF Power MOSFET

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Scheda dati

CLP24H4S30PXY Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.