Diodi a barriera Schottky di grado automobilistico YQx0

I diodi a barriera Schottky di grado automobilistico YQx0 di ROHM Semiconductor offrono basse tensioni dirette, correnti inversa e capacità con elevata affidabilità. I diodi a barriera Schottky YQx0 conformi ad AEC-Q101 hanno una struttura trench MOS con una temperatura di giunzione di +150 °C. Le applicazioni includono il settore automobilistico, alimentatori di commutazione, diodi a rotazione libera e protezione da polarità inversa.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Stile di montaggio
Package/involucro
Configurazione
Tecnologia
If - Corrente diretta
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva
Vf - Tensione diretta
Ifsm - Sovracorrente diretta
Ir - Corrente inversa
Temperatura di lavoro massima
Confezione
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable opera
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7.578A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 4.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 100 V 610 mV 200 A 80 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10CDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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1.900A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 100 V 650 mV 150 A 70 uA + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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2.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 200 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20BM10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operati
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400A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 150 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ30NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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1.280A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Single Si 30 A 100 V 780 mV 200 A 150 uA + 150 C Reel, Cut Tape