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TGS2355-SM

Name: Qorvo TGS2355-SM
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGS2355-SM
Price: 231.83 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

772-TGS2355-SM

N. produttore:

TGS2355-SM

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

Circuiti integrati commutatori RF .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

Scheda dati:

TGS2355-SM Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	231,83 €	231,83 €
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500	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	Circuiti integrati commutatori RF
RoHS::
Configurazione interruttore:	SPDT
Frequenza minima:	500 MHz
Frequenza massima:	6 GHz
Perdita di inserzione:	1.1 dB
Isolamento in stato inattivo - Tip:	40 dB
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-32
Tecnologia:	Si
Serie:	TGS2355
Confezione:	Tray
Marchio:	Qorvo
Tensione di controllo alta:	- 48 V
Sensibili all’umidità:	Yes
Numero di interruttori:	Single
Corrente di alimentazione operativa:	1 mA
Pd - Dissipazione di potenza:	35 W
Tipo di prodotto:	RF Switch ICs
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Wireless & RF Integrated Circuits
Alias n. parte:	TGS2355 1097064
Peso unità:	5,058 g

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TGS2355-SM Scheda dati (PDF)

Models

TGS2355-SM Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

TGS2355-SM High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355-SM High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch that operates from 0.5GHz to 6.0GHz. Fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25), the TGS2355-SM provides up to 100W input power handling with <1.1dB insertion loss over most of the operating band and greater than 40dB isolation. These qualities make the TGS2355-SM GaN Switch ideal for high-power switching applications across both defense and commercial platforms.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.