MOSFET a canale N NSF0x120L4A0

I MOSFET a canale N NSF0x120L4A0 Nexperia sono MOSFET di potenza a 1200 V basati sul carburo di silicio (SiC) e confezionati in pacchetti plastici TO-247 a 4 pin. Questi MOSFET presentano un'eccellente stabilità di temperatura della resistenza in stato drain-source. La serie offre basse perdite di commutazione, rapido recupero inverso e velocità di commutazione rapide. I MOSFET Nexperia forniscono una commutazione più veloce e un miglioramento della commutazione grazie al pin di sorgente Kelvin aggiuntivo. I moduli NSF0x120L4A0 sono caratterizzati da una tensione massima del gate-source di 22 V, una temperatura di giunzione massima di +175°C e la conformità alla normativa RoHS dell'UE. Le applicazioni tipiche includono infrastrutture di ricarica per veicoli elettrici (EV), inverter fotovoltaici, alimentatori a commutazione (SMPS), gruppi di continuità e azionamenti per motori.