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Transistor GaN di potenza RF Airfast A5G35S008N

Il transistor GaN di potenza RF Airfast A5G35S008N di NXP Semiconductors è un transistor GaN di potenza RF da 27 dBm. È progettato per applicazioni di stazioni base cellulari che coprono un intervallo di frequenze da 3300 a 3800 MHz. Il dispositivo presenta impedenze terminali elevate per prestazioni a banda larga ottimali.

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