GaN FET da 650 V LMG3522R050

Il GaN FET da 650 V LMG3522R050 con driver e protezione integrati è destinato ai convertitori di potenza in modalità commutazione e consente ai progettisti di raggiungere nuovi livelli di densità di potenza e di efficienza. Il LMG3522R050 integra un driver in silicio che consente velocità di commutazione fino a 150 Vns. TI offre un bias di gate di precisione integrato, che si traduce in una SOA di commutazione più elevata rispetto ai driver di gate in silicio discreti. Questa integrazione, combinata con il pacchetto a bassa induttanza di TI, garantisce un minimo ringing e una commutazione pulita nelle topologie di alimentazione a commutazione hardware. La forza del gate drive regolabile consente il controllo della velocità di rotazione da 15 V/ns a 150 V/ns. Questo dispositivo di controllo può essere utilizzato per controllare attivamente le EMI e ottimizzare le prestazioni di commutazione.