MOSFET per piccoli segnali da 60 V 400 mA Nch BSS138B

I MOSFET per piccoli segnali da 60 V 400mA Nch BSS138B di ROHM Semiconductor sono a commutazione molto rapida con unità a tensione ultrabassa (drive da 2,5 V). I MOSFET presentano una protezione ESD fino a 2 kV (HBM). Placcatura senza piombo e conformità alla normativa RoHS.

Risultati: 4
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET SOT23 N-CH 60V .4A 1.144A magazzino
39.000In ordine
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 60V 380mA Small Signal MOSFET 3.315A magazzino
3.00024/06/2026 previsto
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Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET SOT323 N-CH 60V 380MA 857A magazzino
6.00014/04/2026 previsto
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Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET SOT23 N-CH 60V .4A
11.90023/02/2026 previsto
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Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel