Moduli IGBT XHP™ 2 e 3

I moduli IGBT XHP ™ 2 e 3  di Infineon sono progettati per applicazioni ad alta potenza, da 1,7 kV a 6,5 kV. I moduli Infineon sono ideali per applicazioni esigenti quali trazione, CAV e azionamenti a media tensione. I dispositivi offrono un design scalabile, eccellente affidabilità e la massima densità di potenza.

Risultati: 4
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Package/involucro
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Infineon Technologies Moduli IGBT 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Scheda dati
24A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Scheda dati
20A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Scheda dati
13A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Scheda dati
19A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray