MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L022N120M3S

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L022N120M3S di ON Semiconductor offrono prestazioni di commutazione superiori e un'affidabilità maggiore rispetto al silicio. Il NVH4L022N120M3S di ON Semiconductor presenta una resistenza in conduzione bassa e dimensioni ridotte del chip che garantiscono una capacità elettrica e una carica del gate ridotte. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una rapida frequenza di funzionamento, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.