HEMT GaN

Gli HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica) al GaN (nitruro di gallio) di Cree offrono maggiore densità di potenza e maggiori ampiezze di banda rispetto ai transistor a Si e GaAs. Il GaN presenta proprietà superiori rispetto al silicio o all'arsenuro di gallio, inclusa una maggiore tensione di breakdown, elevata velocità di deriva degli elettroni saturati e una maggiore conduttività termica.
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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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40A magazzino
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SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
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70A magazzino
Min: 10
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SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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74816/03/2026 previsto
MouseReel disponibile
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Nastrati: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
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Non disponibile a magazzino
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Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
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Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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Mult.: 10

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
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Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 10
Mult.: 10

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C