HEMT GaN

Gli HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica) al GaN (nitruro di gallio) di Cree offrono maggiore densità di potenza e maggiori ampiezze di banda rispetto ai transistor a Si e GaAs. Il GaN presenta proprietà superiori rispetto al silicio o all'arsenuro di gallio, inclusa una maggiore tensione di breakdown, elevata velocità di deriva degli elettroni saturati e una maggiore conduttività termica.
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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Frequenza di lavoro massima
Frequenza di lavoro minima
Tecnologia
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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17A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 3.5 GHz 3.1 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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Altre informazioni disponibili

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C 15 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A 6 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
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Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C 9.6 GHz 8.4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
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Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 9.6 GHz 7.9 GHz GaN