NVTFWS002N04XMTAG

onsemi
863-VTFWS002N04XMTAG
NVTFWS002N04XMTAG

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
114 A
2.45 mOhms
20 V
3.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
62 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 12 ns
Transconduttanza diretta - Min: 59 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 10 ns
Serie: NVTFWS002N04XM
Quantità colli di fabbrica: 1500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 10 ns
Tipico ritardo di accensione: 6 ns
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET NVTFWS002N04XM

Il MOSFET NVTFWS002N04XM di Onsemi presenta un RDS(on) e una capacità elettrica bassi in un package qualificato AEC-Q101. Il MOSFET ha una tensione drain-to-source di 40 V, una corrente di drain continua di 114 A e una resistenza drain-to-source di 2,45 m a 10 V. Il MOSFET NVTFWS002N04XM di Onsemi è disponibile in un package di piccolo ingombro µ8FL di 3,3 mm x 3,3 mm ed è ideale per applicazioni di unità di azionamento motore, protezione della batteria e raddrizzamento sincrono.