S29CD016J Flash NOR Memory

Infineon Technologies S29CD016J Flash NOR Memory device is floating product fabricated on 110nm process technology. The S29CD016J flash memory is capable of performing simultaneous read and write operations with zero latency on two separate banks. The S29CD016J flash NOR memory operates up to 75MHz (32Mb) or 66MHz (16Mb) and uses a single device supply of 2.5VCC to 2.75VCC. The flash NOR devices are available with dual boot sector configuration, supports Common Flash Interface (CFI), and 20 years of data retention. The Infineon S29CDxJ burst flash device is ideal for demanding automotive applications.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Serie
Dimensioni memoria
Tensione di alimentazione - Min.
Tensione di alimentazione - Max.
Lettura corrente attiva - Massima
Tipo di interfaccia
Frequenza di clock massima
Organizzazione
Larghezza bus dati
Tipo di temporizzazione
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Confezione
Infineon Technologies NOR Flash PNOR
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 660
Mult.: 660

SMD/SMT PQFP-80 S29CL016J 16 Mbit 2.5 V 2.75 V 90 mA Parallel 66 MHz 512 k x 32 32 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL064S80BHB040
Infineon Technologies NOR Flash Nor
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 3.380
Mult.: 3.380

SMD/SMT BGA-48 S29GL064S 64 Mbit 2.7 V 3.6 V 50 mA Parallel 8 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL128S90FHA023
Infineon Technologies NOR Flash Nor
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 1.600
Mult.: 1.600
Nastrati: 1.600

SMD/SMT BGA-64 S29GL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 8 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel