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NTHL060N065SC1

Name: onsemi NTHL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL060N065SC1
Price: 8.74 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTHL060N065SC1

N. produttore:

NTHL060N065SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Scheda dati:

NTHL060N065SC1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	8,74 €	8,74 €
	6,30 €	63,00 €
	5,45 €	654,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	47 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	70 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Qg - Carica del gate:	74 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	176 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	12 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	32 ns
Serie:	NTHL060N065SC1
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	23 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns

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Scheda dati

NTHL060N065SC1 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Pompe di calore

La pompa di calore rappresenta una pietra angolare del passaggio globale verso un riscaldamento sicuro e sostenibile, sfruttando elettricità a basse emissioni per fornire calore affidabile. Mentre la sua funzione principale è il riscaldamento, gli innovativi modelli a ciclo inverso offrono anche capacità di raffreddamento. Inoltre, recuperando in modo efficiente il calore residuo ed elevando la temperatura a livelli pratici, le pompe di calore hanno un immenso potenziale di conservazione dell’energia. Con il passaggio delle aziende a un futuro a basse emissioni di carbonio, cresce la domanda di semiconduttori di potenza più efficienti. Per questa ricerca è fondamentale bilanciare costi, ingombro ed efficienza. I moduli di potenza intelligenti (IPM) di Onsemi emergono come una soluzione apprezzabile nel mercato delle pompe di calore, offrendo un design compatto, alta densità di potenza e funzionalità di controllo avanzate.

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MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTHL060N065SC1

Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) NTHL060N065SC1 di Onsemi offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità. Il MOSFET ha una bassa resistenza in conduzione e le sue dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità e carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

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