NTH4L070N120M3S

onsemi
863-NTH4L070N120M3S
NTH4L070N120M3S

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
37 A
91 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
252 W
Enhancement
EliteSiC
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 11 ns
Transconduttanza diretta - Min: 9 S
Confezione: Tube
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 12 ns
Serie: NTH4L070N120M3S
Quantità colli di fabbrica: 450
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Ritardo di spegnimento tipico: 20 ns
Tipico ritardo di accensione: 10 ns
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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