NTH4L070N120M3S

onsemi
863-NTH4L070N120M3S
NTH4L070N120M3S

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3

Modello ECAD:
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onsemi
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
37 A
91 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
252 W
Enhancement
EliteSiC
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 11 ns
Transconduttanza diretta - Min: 9 S
Confezione: Tube
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 12 ns
Serie: NTH4L070N120M3S
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Ritardo di spegnimento tipico: 20 ns
Tipico ritardo di accensione: 10 ns
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Pompe di calore

La pompa di calore rappresenta una pietra angolare del passaggio globale verso un riscaldamento sicuro e sostenibile, sfruttando elettricità a basse emissioni per fornire calore affidabile. Mentre la sua funzione principale è il riscaldamento, gli innovativi modelli a ciclo inverso offrono anche capacità di raffreddamento. Inoltre, recuperando in modo efficiente il calore residuo ed elevando la temperatura a livelli pratici, le pompe di calore hanno un immenso potenziale di conservazione dell’energia. Con il passaggio delle aziende a un futuro a basse emissioni di carbonio, cresce la domanda di semiconduttori di potenza più efficienti. Per questa ricerca è fondamentale bilanciare costi, ingombro ed efficienza. I moduli di potenza intelligenti (IPM) di Onsemi emergono come una soluzione apprezzabile nel mercato delle pompe di calore, offrendo un design compatto, alta densità di potenza e funzionalità di controllo avanzate.

MOSFET EliteSiC M3S

I MOSFET EliteSiC M3S di onsemi sono soluzioni per applicazioni di commutazione ad alta frequenza che utilizzano topologie hard-switch. I MOSFET M3S onsemi sono progettati per ottimizzare prestazioni ed efficienza. Il dispositivo presenta una notevole riduzione del 40% circa delle perdite di commutazione totali (Etot) rispetto ai corrispondenti M1 da 1.200 V e 20 mΩ. I MOSFET M3S EliteSiC sono perfettamente adatti per varie applicazioni, inclusi i sistemi di energia solare, i caricatori di bordo e le stazioni di carica per veicoli elettrici (EV).

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