Transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD

I transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD di Diodes Inc. sono transistor bipolari qualificati AEC-Q101, con capacità PPAP e prodotti in impianti certificati IATF16949. Ogni dispositivo ha una tensione di rottura collettore-emettitore di 50 V o 100 V (minimo). I transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD di Diodes Inc. sono disponibili in un package TO-252 (DPAK) e sono ideali per applicazioni di commutazione di potenza o amplificazione.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione base-collettore VCBO
Tensione emettitore-base VEBO
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Confezione
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Scheda dati
5.679A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Scheda dati
1.061A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Scheda dati
1.040A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Scheda dati
2.39529/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape