Driver di porta half-bridge STDRIVEG211

I driver gate a semiponte STDRIVEG211 di STMicroelectronics sono progettati per GaN a modalità di potenziamento a canale N e la sezione driver high-side è in grado di sopportare una tensione di alimentazione fino a 220 V. Questi driver sono caratterizzati da un'elevata capacità di corrente, un breve ritardo di propagazione con un eccellente adattamento del ritardo e LDO integrati. Ciò li rende ottimizzati per la gestione di GaN ad alta velocità. I driver di gate a semiponte STDRIVEG211 sono dotati di UVLO di alimentazione su misura per applicazioni a commutazione rigida, interblocco per evitare condizioni di conduzione incrociata e un comparatore di sovracorrente con SmartSD. Questi driver offrono un intervallo esteso per pin di ingresso che consente un facile collegamento con i controller. Un pin di standby consente di ridurre il consumo energetico durante i periodi di inattività o in modalità burst. Le applicazioni includono microinverter solari, amplificatori audio di classe D, biciclette elettriche, illuminazione a LED, USB-C, utensili elettrici e robotica.