MOSFET MV Trench6 a canale N

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono MOSFET da 30V, 40V e 60V prodotti utilizzando un processo Power Trench avanzato e ottimizzato che incorpora la tecnologia di Gate schermato. Il processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo soft body della categoria.

Risultati: 448
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1.359A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 136
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP 2.917A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 2 Channel 30 V 57 A, 165 A - 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V 3 V 7.9 nC, 43 nC - 55 C + 150 C 25 W, 41 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V LL S08FL DS 27.865A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS4C301NWFET1G
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO 1.500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 150
: 1.500

Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V S08FL 906A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 91
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 1.350A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 135
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 1.360A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 136
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9.2 mOhms 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V SO8FL 1.157A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 116
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 820 uOhms 20 V 2 V 143 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 2.984A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 148
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.432A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 143
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V S08FL 1.500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 150
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL S08FL 1.994A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 199
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL S08FL 1.500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 150
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL 1.483A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 148
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL 1.470A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 147
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.055A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 106
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 2.722A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 272
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V S08FL 1.412A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 141
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 4.7 mOhms 20 V 2 V 33.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V S08FL 1.850A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 185
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9.2 mOhms 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 1.361A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 136
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 6.1 mOhms 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1.500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 150
: 1.500

Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 1.460A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 146
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 1.430A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 143
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 1.500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 150
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 30V NCH 1.490A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 149
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 3.4 mOhms 20 V 2.1 V 26 nC - 55 C + 175 C 36.5 W Enhancement Reel, Cut Tape