P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Central Semiconductor P-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low rDS(ON) and low threshold voltage. CMUDM8004 and CMUDM8005 ULTRAmini™ MOSFETs, CMLDM8005 PICOmini™, and CMNDM8001 FEMTOmini™ devices are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. Central Semiconductor CMUDM8004 / CMUDM8005 and CMNDM8001 MOSFETs are manufactured by the P-channel DMOS process. CMLDM8005 features 350mW power dissipation.

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Central Semiconductor MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
Scheda dati
2.417A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 2 Channel 20 V 650 mA 360 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 nC - 65 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
Scheda dati
101.701Disponibile a magazzino presso produttore
Altre informazioni disponibili
Min: 8.000
Mult.: 8.000
Nastrati: 8.000

Si 2.4 Ohms Reel