Transistor discreti IGBT7 H7 TRENCHEON™ 650 V

I transistor discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 650 V di Infineon Technologies presentano una tecnologia avanzata, che soddisfa la domanda di applicazioni energetiche efficienti. I transistor a 650 V di Infineon Technologies presentano un design trench micro-pattern all’avanguardia per un controllo preciso e prestazioni elevate. Il design comporta una significativa riduzione delle perdite, una maggiore efficienza e una maggiore densità di potenza in vari settori come inverter di stringhe, sistemi di accumulo di energia (ESS), ricarica di veicoli elettrici, gruppi di continuità industriali e saldatura.