Transistor JFET SiC UJ4N 750 V 4,3 mΩ normalmente acceso

Il transistor JFET SiC UJ4N 750 V 4,3 mΩ normalmente acceso di onsemi presenta una resistenza di accensione ultra-bassa (RDS(on)) in un package TOLL compatto. Questa funzionalità lo rende ideale per affrontare le impegnative limitazioni termiche e di spazio degli interruttori di circuito e delle applicazioni dei relè a stato solido. Il JFET UJ4N di onsemi utilizza una tecnologia robusta in grado di gestire la commutazione ad alta energia richiesta nelle applicazioni di protezione del circuito.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Vds - Tensione di rottura drain-source
Vgs - Tensione di rottura gate-source
Corrente drain-source a Vgs=0
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
onsemi JFET UJ4N075005K4S
Scheda dati
476A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi JFET UJ4N075004L8S
Scheda dati
57A magazzino
2.00011/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.3 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UJ4N Reel, Cut Tape