MOSFET di alimentazione C7 Gold (G7) CoolMOS™

I MOSFET di alimentazione C7 Gold (G7) CoolMOS™ di Infineon Technologies sono alloggiati nel nuovo package SMD TO-Leadless (TOLL) secondo il concetto di origine Kelvin. I G7 MOSFET combinano una tecnologia CoolMOS™ migliorata di 600 V e 650V; una capacità di assorbimento Kelvin da 4 pin e proprietà termiche avanzate del package TO-Leadless. Ciò consente l'uso di una soluzione SMD per le topologie di commutazione della corrente elevata come la correzione del fattore di potenza (PFC) fino a 3 kW. Per i G7 CoolMOS™ da 3kW, i MOSFET si possono utilizzare per circuiti risonanti come LLC di fascia alta.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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1.354A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
2.005A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Scheda dati
1.783A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
1.483A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
2.682A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
2.804A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Scheda dati
2.122A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
3.979A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
21A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
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Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 17 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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Tempo di consegna 18 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape