QPA3069 100W GaN Power Amplifier

Qorvo QPA3069 100W GaN Power Amplifier is a packaged, high-power S-band amplifier ideal for military radar systems. The amplifier covers a 2.7GHz to 3.5GHz frequency range and is fabricated on Qorvo’s production 0.25μm gallium nitride (GaN) with silicon carbide (SiC) processing (QGaN25). QPA3069 provides 50dBm saturated output power and 25dB large-signal gain while achieving 53% power-added efficiency. QPA3069 is packaged in a 7mm x 7mm 48-pin plastic overmolded package. QPA3069 MMIC has DC-blocking capacitors on both RF ports, which are matched to 50Ω.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Frequenza di lavoro Tensione di alimentazione di lavoro Corrente di alimentazione operativa Guadagno Tipo Stile di montaggio Tecnologia Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione
Qorvo Amplificatori RF 90W S-band PA
7A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 30 V 300 mA 29.3 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA3069 Bag
Qorvo Amplificatori RF 2.7-3.5 GHz, 100W GaN PA
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 250
Mult.: 250
Nastrati: 250

2.7 GHz to 3.5 GHz 30 V 300 mA 31.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA3069 Reel