SIC10A065T-AU_T0_000A1

Panjit
241-SIC10A065TAUT000
SIC10A065T-AU_T0_000A1

Produttore:

Descrizione:
Diodi Schottky SiC PJ/10A065T/TP//HF/0.05K/TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH/SIC100W-QI01/PJ//TO220AC-AS06/TO220AC-AS01

Ciclo di vita:
NRND:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Panjit
Categoria prodotto: Diodi Schottky SiC
RoHS::  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
10 A
650 V
1.5 V
400 A
20 uA
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
Marchio: Panjit
Pd - Dissipazione di potenza: 115 W
Tipo di prodotto: SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica: 50
Sottocategoria: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa: 650 V
Peso unità: 1,890 g
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TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT Silicon-Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes with low forward-voltage and zero reverse recovery current ensure cooler system temperature under harsh operating conditions of power conversion systems. These SiC diodes feature low conduction and switching loss, high surge current capability, temperature-independent switching behavior, and positive temperature co-efficient on VF. The SiC diodes are available at a range of 2A to 20A forward current (IF) and 650V to 1200V Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) ratings. These hard switching and highly reliable diodes operate at high-frequency and offer high system efficiency. The SiC Schottky diodes are ideal for high-temperature applications.