Moduli M1H CoolSiC™ da 1200 V

I moduli M1H CoolSiC™ 1.200 V di Infineon Technologies offrono ai progettisti di inverter e di sistemi di carica per veicoli elettrici la possibilità di raggiungere livelli di efficienza e densità di potenza mai visti prima.

Tipi di Semiconduttori discreti
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Qtà RoHS Tipo di prodotto
Tecnologia
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Package/involucro
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Scheda dati
6A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Scheda dati
4024/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Moduli MOSFET EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
Scheda dati
3623/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Scheda dati
7211/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies Moduli MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Scheda dati
120In ordine
Min: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1
No
Discrete Semiconductor Modules Si