MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive

I MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive di Infineon Technologies sono progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV) come inverter di trazione, caricatori di bordo (OBC) e convertitori CC/CC ad alto voltaggio. Questi MOSFET in carburo di silicio (SiC) offrono un'efficienza, una densità di potenza e prestazioni termiche eccezionali, consentendo di realizzare sistemi di mobilità elettrica di nuova generazione. Con una tensione nominale di 750 V e la tecnologia CoolSiC™ di seconda generazione, questi dispositivi offrono un comportamento di commutazione migliorato e una riduzione delle perdite rispetto alle tradizionali soluzioni in silicio. Il portafoglio include un intervallo di valori di R_DS(on) da 9 mΩ a 78 mΩ offrendo ai progettisti la flessibilità necessaria per ottimizzare le prestazioni di conduzione e commutazione.