MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive

I MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive di Infineon Technologies sono progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV) come inverter di trazione, caricatori di bordo (OBC) e convertitori CC/CC ad alto voltaggio. Questi MOSFET in carburo di silicio (SiC) offrono un'efficienza, una densità di potenza e prestazioni termiche eccezionali, consentendo di realizzare sistemi di mobilità elettrica di nuova generazione. Con una tensione nominale di 750 V e la tecnologia CoolSiC™ di seconda generazione, questi dispositivi offrono un comportamento di commutazione migliorato e una riduzione delle perdite rispetto alle tradizionali soluzioni in silicio. Il portafoglio include un intervallo di valori RDS(on) da 9 mΩ a 78 mΩ, offrendo ai progettisti la flessibilità per ottimizzare le prestazioni di conduzione e di commutazione.

Risultati: 22
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK 56A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 28A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 202A magazzino
1.50031/05/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 25A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 85 A 20 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 255A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 6A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 21A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 25A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 11A magazzino
240In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 740A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 840 V 198 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK 787A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 245A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 846A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C +175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 911A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 754A magazzino
1.00002/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 610A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 687A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, + 23V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
75013/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 220 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 164 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
50In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 357 A 8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 328 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
21029/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 11 V, + 25 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
240In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 25 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive SiC MOSFET 750V G2
5026/04/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC