IGBT a semiponte

Gli IGBT a semiponte   di Vishay Semiconductors presentano la tecnologia IGBT Trench e correnti nominali di 100 A, 150 A e 200 A. Questi IGBT hanno basse perdite di conduzione, bassa riduzione termica da giunzione a involucro e un montaggio diretto sul design del dissipatore di calore. Gli IGBT a semiponte offrono diodi anti-parallelo FRED Pt ® Gen 4 con caratteristiche di recupero inverso ultra ridotto. Gli IGBT a semiponte   di Vishay Semiconductors sono ottimizzati per gli stadi di invertitori ad alta corrente, come le saldatrici CA TIG.

Risultati: 5
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Configurazione
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Package/involucro
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Vishay Semiconductors Moduli IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Scheda dati
30A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Moduli IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Scheda dati
13A magazzino
1526/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Moduli IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Scheda dati
17A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Moduli IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Scheda dati
12A magazzino
1521/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Moduli IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Scheda dati
1524/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk