SiC (Silicon Carbide) Diodes & Rectifiers

IXYS SiC (Silicon Carbide) Diodes and Rectifiers provide extremely fast switching, high-frequency operation with zero recovery, and temperature-independent behavior. Coupled with the low inductance IXYS DE-Series RF package, these SiC Diodes and Rectifiers diodes can be utilized in any number of fast switching diode circuits or high-frequency converter applications.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Configurazione
If - Corrente diretta
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva
Vf - Tensione diretta
Ifsm - Sovracorrente diretta
Ir - Corrente inversa
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
IXYS Integrated Circuits Diodi Schottky SiC 10A 600V Triple Common Anode SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple Common Anode 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits Diodi Schottky SiC 10A 600V Triple Common Cathode SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple Common Cathode 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits Diodi Schottky SiC 10A 600V Triple SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits Diodi Schottky SiC 5A 1200V Triple Common Anode SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple Common Anode 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C SS27 Tube
IXYS Integrated Circuits Diodi Schottky SiC 5A 1200V Triple Common Cathode SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple Common Cathode 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C SS27 Tube
IXYS Integrated Circuits Diodi Schottky SiC 5A 1200V Triple SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C SS27 Tube